IR2011S中文资料200 V high-side and low-side gate driver IC数据手册Infineon规格书

描述 Description

200 V 高边和低边驱动器 IC,具有典型的 1 A 拉电流和 1 A 灌电流，采用 8 引脚 SOIC 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 PDIP 封装可选。

特性 Features

• 专为自举操作设计的浮动通道 ，可运行，不受 dV/dt 影响
• 完全运行时的电压高达 200 V 容许负瞬态电压高
• 容许负瞬态电压高
• 不受 dV/dt 影响
• 栅极驱动电源范围：10 V 至 20V
• 独立的低边和高边通道
• 输入逻辑 HIN/LIN 高电平有效
• 双通道欠压锁定
• 3.3V 和 5 V 输入逻辑兼容
• 具有下拉的 CMOS 施密特触发输入
• 双通道的匹配传播延迟

优势:

简介

IR2011S属于集成电路（IC）的栅极驱动器。由制造生产的IR2011S栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能，这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备（通常为 FET 或 IGBT）。任何特定设备提供的确切功能各不相同，但与它适合驱动的半导体配置相关。