| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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14年
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IR8SOICM |
18544 |
26+ |
全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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1年
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IRSOP-8 |
45 |
1510+ |
上传都是百分之百进口原装现货 |
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12年
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IRSOP8 |
21055 |
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原装正品，实单请联系 |
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IRN/A |
70000 |
2025+ |
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6年
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INFINEON/英飞凌原厂封装 |
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12年
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INFINEONSOP-8 |
22000 |
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有挂有货原装正品现货,假一赔十 |
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4年
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Infineon(英飞凌)SOP8 |
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7年
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Infineon(英飞凌)SOIC-8 |
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7年
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Infineon(英飞凌)SOIC-8 |
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原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。 |
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12年
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IRSOP8 |
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15年
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IRSO-8 |
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原装现货。 |
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15年
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INFINEONN/A |
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14年
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全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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12年
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Infineon(英飞凌)SOP-8 |
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11年
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IRSOP8 |
20000 |
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7年
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深 圳 市 神 舟 芯 电 子 科 技 有 限 公 司 联系人 ：张小姐 电 话： 0755-23156358/15814652535 传真：0755-23156358 地 址：深圳市 宝安区 民治大道 华侨新苑5--11A QQ： 2443899114 网址：www.szx-ic.com 本公司只做原装，散新勿扰！ IR2011STRPBF 功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr RoHS:否 制造商:
IR2011STRPBF 高端和低端驱动器 全新原装 IR授权分销 大量现货热卖
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IR2011STRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IR2011S功能描述:HI/LO SIDE DRVR 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127
IR2011SPBF功能描述:功率驱动器IC HI LO SIDE DRVR 200V 1.0A 80ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
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IR2011STRPBF功能描述:功率驱动器IC Hi&Lw Sd Drvr RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
IR2011S
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
- 包装：
卷带（TR）
- 驱动配置：
高压侧或低压侧
- 通道类型：
独立式
- 栅极类型：
N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：
10V ~ 20V
- 逻辑电压 - VIL，VIH：
0.7V，2.2V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1A，1A
- 输入类型：
反相
- 上升/下降时间（典型值）：
35ns，20ns
- 工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：
8-SOIC
- 描述：
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
