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IR2110STR

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

Description The IR2110/IR2113 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with standard CMOS o

文件:334.13 Kbytes 页数:18 Pages

IRF

IR2110STRPBF

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

Description The IR2110/IR2113 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with standard CMOS o

文件:334.12 Kbytes 页数:18 Pages

IRF

IR2110STRPBF

HIGH AND LOW SIDE DRIVER

文件:491.79 Kbytes 页数:17 Pages

Infineon

英飞凌

IR2110STR

Package:16-SOIC(0.295",7.50mm 宽);包装:散装 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC

Infineon

英飞凌

IR2110STRPBF

Package:16-SOIC(0.295",7.50mm 宽);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC

Infineon

英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    IR2110STR

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    散装

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    3.3V ~ 20V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    6V,9.5V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    2A,2A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    25ns,17ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    16-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IR
24+
SOP16
4000
原装原厂代理 可免费送样品
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IR
2410+
SOP-14
21000
原装正品.假一赔百.正规渠道.原厂追溯.
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24+
N/A
8000
全新原装正品,现货销售
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SOP
978
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IR
23+
SOP16
20000
原装正品,假一罚十
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更多IR2110STR供应商 更新时间2025-10-10 15:08:00