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IR2118S	文件：161.12 Kbytes Page：18 Pages	SINGLE CHANNEL DRIVER Description The IR2117/IR2118(S) is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS outputs. The output driver features a high pulse current buf 文件：161.12 Kbytes 页数：18 Pages	IRF	IRF
IR2118S	文件：269.58 Kbytes Page：18 Pages	SINGLE CHANNEL DRIVER 文件：269.58 Kbytes 页数：18 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IR2118SPBF	文件：161.12 Kbytes Page：18 Pages	SINGLE CHANNEL DRIVER Description The IR2117/IR2118(S) is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS outputs. The output driver features a high pulse current buf 文件：161.12 Kbytes 页数：18 Pages	IRF	IRF
IR2118STRPBF	文件：267.4 Kbytes Page：18 Pages	SINGLE CHANNEL DRIVER Description The IR2117/IR2118(S) is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS outputs. The output driver features a high pulse current buf 文件：267.4 Kbytes 页数：18 Pages	IRF	IRF
IR2118S	文件：300 bytes Page：1 Pages	600 V 单高侧栅极驱动器 IC，带单输入 600 V High Side Driver IC with typical 0.25 A source and 0.5 A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead PDIP. • Floating channel designed for bootstrap operation\n• Fully operational to +600 V\n• Tolerant to negative transient voltage\n• dV/dt immune\n• Gate drive supply range from 10 to 20 V\n• Undervoltage lockout\n• CMOS Schmitt-triggered inputs with pull-down\n• Output out of phase with input (IR2118) o;	Infineon 英飞凌	Infineon
IR2118SPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IR2118STR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IR2118STRPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

Product Status：
active/active
Voltage Class：
600 V
Output Current Source min：
0.2 A
Output Current Source：
0.25 A
Output Current Sink min：
0.42 A
Output Current Sink：
0.5 A
Channels：
1
Configuration：
High-side
Qualification：
Industrial
Isolation Type：
Functional levelshift
Switch Type：
IGBT/MOSFET
Package name：
SOIC 8N/SOIC 8N
UVLO Input Off：
8.2 V
UVLO Output Off：
8.2 V
Turn On Propagation Delay max：
200 ns
Turn On Propagation Delay：
125 ns
Turn Off Propagation Delay max：
180 ns
Turn Off Propagation Delay：
105 ns
Input Vcc min：
10 V
Input Vcc max：
20 V
Output Vbs min：
10 V
Output Vbs max：
20 V
Rise Time max：
130 ns
Rise Time：
80 ns
Fall Time max：
65 ns
Fall Time：
40 ns
UVLO Input On：
8.6 V
UVLO Output On：
8.6 V

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