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IR2133	文件：218.29 Kbytes Page：12 Pages	3-PHASE BRIDGE DRIVER Description TheIR2133IR2135/IR2233IR2355(J&S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwiththreeindependenthighsideandlowsidereferencedoutputchannelsfor3-phaseapplications.ProprietaryHVICtechnologyenablesruggedizedmonolithicconstruction.Logicinputsare	IRF International Rectifier	IRF
IR2133	文件：433.98 Kbytes Page：27 Pages	3-PHASE BRIDGE DRIVER Description TheIR2133IR2135/IR2233IR2355(J&S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwiththreeindependenthighsideandlowsidereferencedoutputchannelsfor3-phaseapplications.ProprietaryHVICtechnologyenablesruggedizedmonolithicconstruction.Logicinputsare	IRF International Rectifier	IRF
IR2133	文件：433.98 Kbytes Page：27 Pages	Floating channel designed for bootstrap operation Fully operational to 600V or1200V Tolerant to negative transient voltage dV/dt immune Description TheIR2133IR2135/IR2233IR2355(J&S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwiththreeindependenthighsideandlowsidereferencedoutputchannelsfor3-phaseapplications.ProprietaryHVICtechnologyenablesruggedizedmonolithicconstruction.Logicinputsare	IRF International Rectifier	IRF
IR2133	文件：433.98 Kbytes Page：27 Pages	3-PHASE BRIDGE DRIVER Description TheIR2133IR2135/IR2233IR2355(J&S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwiththreeindependenthighsideandlowsidereferencedoutputchannelsfor3-phaseapplications.ProprietaryHVICtechnologyenablesruggedizedmonolithicconstruction.Logicinputsare	IRF International Rectifier	IRF
IR2133	文件：436.16 Kbytes Page：27 Pages	3-PHASE BRIDGE DRIVER Description TheIR2133IR2135/IR2233IR2355(J&S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwiththreeindependenthighsideandlowsidereferencedoutputchannelsfor3-phaseapplications.ProprietaryHVICtechnologyenablesruggedizedmonolithicconstruction.Logicinputsarecom	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IR2133	文件：433.98 Kbytes Page：27 Pages	3-PHASE BRIDGE DRIVER	IRF International Rectifier	IRF
IR2133	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：28-DIP（0.600"，15.24mm）；包装：散装类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28DIP	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IR2133J	文件：218.29 Kbytes Page：12 Pages	3-PHASE BRIDGE DRIVER Description TheIR2133IR2135/IR2233IR2355(J&S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwiththreeindependenthighsideandlowsidereferencedoutputchannelsfor3-phaseapplications.ProprietaryHVICtechnologyenablesruggedizedmonolithicconstruction.Logicinputsare	IRF International Rectifier	IRF
IR2133J	文件：436.16 Kbytes Page：27 Pages	3-PHASE BRIDGE DRIVER Description TheIR2133IR2135/IR2233IR2355(J&S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwiththreeindependenthighsideandlowsidereferencedoutputchannelsfor3-phaseapplications.ProprietaryHVICtechnologyenablesruggedizedmonolithicconstruction.Logicinputsarecom	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IR2133JSPBF	文件：433.98 Kbytes Page：27 Pages	3-PHASE BRIDGE DRIVER Description TheIR2133IR2135/IR2233IR2355(J&S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwiththreeindependenthighsideandlowsidereferencedoutputchannelsfor3-phaseapplications.ProprietaryHVICtechnologyenablesruggedizedmonolithicconstruction.Logicinputsare	IRF International Rectifier	IRF

产品属性

产品编号：
IR2133
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
散装
驱动配置：
半桥
通道类型：
3 相
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
250mA，500mA
输入类型：
反相
上升/下降时间（典型值）：
90ns，40ns
工作温度：
125°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
28-DIP（0.600"，15.24mm）
供应商器件封装：
28-PDIP
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28DIP

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