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IR2133JSPBF

3-PHASE BRIDGE DRIVER

Description The IR2133IR2135/IR2233IR2355 (J&S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with three independent high side and low side referenced output channels for 3-phase applications. Proprietary HVIC technology enables ruggedized monolithic construction. Logic inputs are

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IRF

IR2133PBF

3-PHASE BRIDGE DRIVER

Description The IR2133IR2135/IR2233IR2355 (J&S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with three independent high side and low side referenced output channels for 3-phase applications. Proprietary HVIC technology enables ruggedized monolithic construction. Logic inputs are

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IRF

IR2133S

3-PHASE BRIDGE DRIVER

Description The IR2133IR2135/IR2233IR2355 (J&S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with three independent high side and low side referenced output channels for 3-phase applications. Proprietary HVIC technology enables ruggedized monolithic construction. Logic inputs are com

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Infineon

英飞凌

IR2133S

3-PHASE BRIDGE DRIVER

Description The IR2133IR2135/IR2233IR2355 (J&S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with three independent high side and low side referenced output channels for 3-phase applications. Proprietary HVIC technology enables ruggedized monolithic construction. Logic inputs are

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IRF

IR2133_15

3-PHASE BRIDGE DRIVER

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IRF

IR2133JTRPBF

3-PHASE BRIDGE DRIVER

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IRF

IR2133J

600 V three-phase gate driver IC with shutdown, fault reporting, OPAMP, and over current protection

600 V 三相驱动器 IC,具有典型的 0.25 A 拉电流和 0.5 A 灌电流,采用 44 引脚 PLCC 封装,适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 28 引脚 PIDP 和 28 引脚 SOIC WB 封装可选。 • 专为自举操作设计的浮动通道\n• 完全运行时的电压高达 600V\n• 完全运行时的电压高达 +1200 V (IR2233\n• 不受 dV/dt 影响\n• 栅极驱动电源范围:10 V/12 V 至 20 V DC,瞬态电压高达 25 V。\n• 全通道欠压锁定\n• 过流关断会关闭所有六个驱动器\n• 独立的 3 个半桥驱动器\n• 全通道匹配传播延迟\n• 2.5 V 逻辑兼容\n• 输出与输入不同相\n\n优势:;

Infineon

英飞凌

IR2133S

具有关断、故障报告、运算放大器和过流保护功能的 600 V 三相栅极驱动器 IC

600 V 三相驱动器 IC,具有典型的 0.25 A 拉电流和 0.5 A 灌电流,采用 28 引脚 SOICWB 封装,适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 28 引脚 PDIP 和44 引脚 PLCC封装可选。 • 专为自举操作设计的浮动通道\n• 完全运行时的电压高达 600V\n• 完全运行时的电压高达 +1200 V (IR2233\n• 不受 dV/dt 影响\n• 栅极驱动电源范围:10 V/12 V 至 20 V DC,瞬态电压高达 25 V。\n• 全通道欠压锁定\n• 过流关断会关闭所有六个驱动器\n• 独立的 3 个半桥驱动器\n• 全通道匹配传播延迟\n• 2.5 V 逻辑兼容\n• 输出与输入不同相\n\n优势:;

Infineon

英飞凌

IR2133JPBF

Package:44-LCC(J形引线),32 引线;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC

Infineon

英飞凌

IR2133JTR

Package:44-LCC(J形引线),32 引线;包装:管件 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 44PLCC

Infineon

英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    IR2133

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    散装

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    3 相

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    10V ~ 20V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2.2V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    250mA,500mA

  • 输入类型:

    反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    90ns,40ns

  • 工作温度:

    125°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    28-DIP(0.600",15.24mm)

  • 供应商器件封装:

    28-PDIP

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28DIP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IR2133供应商 更新时间2025-11-29 15:08:00