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IR2133S

IR原厂封装

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深圳市震川精密科技有限公司

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IR2133STRPBF

INFINEONSOIC-28

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只做原装

深圳市天卓伟业电子有限公司

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IR2133STRPBF

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IR2133S

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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IR原厂封装

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IR2133S

IRSOP28

56

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深圳市粤骏腾电子科技有限公司

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IR2133S

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大批量供应优势库存热卖

上海鑫癸子电子科技有限公司

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IR2133S

InfineonSOIC 28W SOIC 28W

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INFINE0NSOIC 28W

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100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营

深圳市安富世纪电子有限公司

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IRSOP28

9

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全新原装正品现货,支持订货

上海华整贸易有限公司

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IR2133S

Infineon/英飞凌标准封装

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IR2133S

IORSOP28

50000

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原装现货

上海磐岳电子有限公司

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IR2133S

IR

5000

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进口原装现货

深圳市芯为科技有限公司

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IR2133S

IRSOP28

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芯为深仓现货

深圳市赛美科科技有限公司

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IR2133S

IRSOP28

2982

一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货

深圳市昌和盛利电子有限公司

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IR2133S

IR原厂封装

9896

26+

代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订

深圳市华睿芯科技有限公司

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IR2133S

IRSOP28

20000

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全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！

深圳市欧立现代科技有限公司

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IR2133S

irN/A

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原装现货,可开13%税票

深圳市科恒伟业电子有限公司

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IR2133S

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IR2133SPBF价格

IR2133SPBF价格：￥42.7380品牌：INTERNATIONAL

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IR2133S功能描述:IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-SOIC RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件

IR2133SPbF功能描述:功率驱动器IC 3 PHASE DRVR HI & LO SIDE INPUTS RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

IR2133STR功能描述:IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-SOIC RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm） 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127

IR2133STRPBF功能描述:功率驱动器IC 3Phs Drvr Hi&Lw Sd Inpt 200ns Deadtime RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

产品属性

  • 产品编号：

    IR2133S

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 类别：

    集成电路（IC） > 栅极驱动器

  • 包装：

    管件

  • 驱动配置：

    半桥

  • 通道类型：

    3 相

  • 栅极类型：

    IGBT，N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电：

    10V ~ 20V

  • 逻辑电压 - VIL，VIH：

    0.8V，2.2V

  • 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：

    250mA，500mA

  • 输入类型：

    反相

  • 上升/下降时间（典型值）：

    90ns，40ns

  • 工作温度：

    125°C（TJ）

  • 安装类型：

    表面贴装型

  • 封装/外壳：

    28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）

  • 供应商器件封装：

    28-SOIC

  • 描述：

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC

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