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IR2133S集成电路(IC)的栅极驱动器规格书PDF中文资料

IR2133S
厂商型号

IR2133S

参数属性

IR2133S 封装/外壳为28-SOIC(0.295",7.50mm 宽);包装为管件;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC

功能描述

3-PHASE BRIDGE DRIVER
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC

封装外壳

28-SOIC(0.295",7.50mm 宽)

文件大小

436.16 Kbytes

页面数量

27

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

INFINEON英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

原厂标识
INFINEON
数据手册

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更新时间

2025-8-1 23:00:00

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IR2133S规格书详情

IR2133S属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由英飞凌科技股份公司制造生产的IR2133S栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。

描述 Description

The IR2133IR2135/IR2233IR2355 (J&S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with three independent high side and low side referenced output channels for 3-phase applications. Proprietary HVIC technology enables ruggedized monolithic construction. Logic inputs are compatible with CMOS or LSTTL outputs, down to 2.5V logic. An independent operational amplifier provides an analog feedback of bridge current via an external current sense resistor. A current trip function which terminates all six outputs can also be derived from this resistor. A shutdown function is available to terminate all six outputs.

特性 Features

• Floating channel designed for bootstrap operation

   Fully operational to +600V or+1200V

   Tolerant to negative transient voltage

   dV/dt immune

• Gate drive supply range from 10V/12V to 20V DC and

   up to 25V for transient

• Undervoltage lockout for all channels

• Over-current shut down turns off all six drivers

• Independent 3 half-bridge drivers

• Matched propagation delay for all channels

• 2.5V logic compatible

• Outputs out of phase with inputs

• All parts are also available LEAD-FREE

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IR2133S

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    管件

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    3 相

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    10V ~ 20V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2.2V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    250mA,500mA

  • 输入类型:

    反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    90ns,40ns

  • 工作温度:

    125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    28-SOIC(0.295",7.50mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    28-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC

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