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IR2103S	文件：119.08 Kbytes Page：12 Pages	HALF-BRIDGE DRIVER Description TheIR2103(S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithdependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSorLS	IRF International Rectifier	IRF
IR2103S	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：散装类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IR2103SPBF	文件：1.10762 Mbytes Page：18 Pages	Half-Bridge Driver	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IR2103STRPBF	文件：1.10295 Mbytes Page：18 Pages	Half-Bridge Driver	IRF International Rectifier	IRF
IR2103STR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IR2103STRPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRS2103	文件：1.39934 Mbytes Page：14 Pages	HALF-BRIDGEDRIVER Description TheIRS2103isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithdependenthigh-andlow-sidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSorLSTT	IRF International Rectifier	IRF
IRS2103	文件：1.63612 Mbytes Page：14 Pages	HALF-BRIDGEDRIVER	IRF International Rectifier	IRF
IRS2103PBF	文件：554.51 Kbytes Page：25 Pages	HALF-BRIDGEDRIVER Description TheIRS2108/IRS21084arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithdependenthigh-andlow-sidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOS	IRF International Rectifier	IRF

产品属性

产品编号：
IR2103S
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
散装
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，3V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
210mA，360mA
输入类型：
反相，非反相
上升/下降时间（典型值）：
100ns，50ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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