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FDJ1027P

P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

文件:1.11161 Mbytes 页数:6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDJ1027P

P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

文件:134.91 Kbytes 页数:7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDJ1027P_06

P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET

文件:1.11161 Mbytes 页数:6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDJ1028N

N-Channel 2.5 Vgs Specified PowerTrench MOSFET

文件:1.6217 Mbytes 页数:6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDJ1028N

N-Channel 2.5 Vgs Specified PowerTrench MOSFET

文件:539.84 Kbytes 页数:6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDJ1028N_06

N-Channel 2.5 Vgs Specified PowerTrench MOSFET

文件:1.6217 Mbytes 页数:6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDJ1032C

Complementary PowerTrench MOSFET

文件:7.82343 Mbytes 页数:9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDJ1032C

Complementary PowerTrench MOSFET

文件:650.63 Kbytes 页数:9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDJ1032C_08

Complementary PowerTrench MOSFET

文件:7.82343 Mbytes 页数:9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDJ127P

P-Channel -1.8 Vgs Specified PowerTrench MOSFET

文件:172.01 Kbytes 页数:5 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

详细参数

  • 型号:

    FDJ

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch PowerTrench 2.5Vgs Specified

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FDJ供应商 更新时间2026-4-16 14:13:00