P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-20V，-9.4A，20mΩ

该器件专为手机和其他超便携应用中的电池充电或负载开关而设计。 包含一个具有低导通电阻的MOSFET和齐纳二极管防静电放电保护。 MicroFET 2X2 封装因其外形尺寸而具有卓越的热性能，非常适合线性模式应用。 •VGS = -4.5 V，ID = -9.4 A时，最大rDS(on) = 20mΩ\n•VGS = -2.5 V，ID = -8.6 A时，最大rDS(on) = 24mΩ\n•VGS = -1.8 V，ID = -7.2 A时，最大rDS(on) = 34mΩ\n•薄型 – 最大0.8mm – 采用新的MicroFET 2x2 mm封装\n•HBM ESD 保护电平> 2.8 kV 典型值（注 3）\n•不含有卤化合物和氧化锑\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

Single P-Channel PowerTrench짰 MOSFET

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Fairchild

仙童半导体

P-Channel PowerTrench짰 MOSFET

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Fairchild

仙童半导体

3.3V 400mA/250mA Low Dropout Regulator

General Description The G910/G911 positive 3.3V voltage regulator features the ability to source 600mA/250mA+ of output current with a dropout voltage of typically 0.65V/0.25V. A low quiescent current is provided. The typical quiescent current is 0.3mA. Features Dropout voltage typical

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致新科技

3.3V 600mA/250mA Low Dropout Regulator

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致新科技