FDMA910PZ中文资料P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-20V，-9.4A，20mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMA910PZ规格书详情
描述 Description
该器件专为手机和其他超便携应用中的电池充电或负载开关而设计。 包含一个具有低导通电阻的MOSFET和齐纳二极管防静电放电保护。 MicroFET 2X2 封装因其外形尺寸而具有卓越的热性能，非常适合线性模式应用。
特性 Features
•VGS = -4.5 V，ID = -9.4 A时，最大rDS(on) = 20mΩ
•VGS = -2.5 V，ID = -8.6 A时，最大rDS(on) = 24mΩ
•VGS = -1.8 V，ID = -7.2 A时，最大rDS(on) = 34mΩ
•薄型 – 最大0.8mm – 采用新的MicroFET 2x2 mm封装
•HBM ESD 保护电平> 2.8 kV 典型值（注 3）
•不含有卤化合物和氧化锑
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• 手机
• 便携导航
技术参数
- 制造商编号
：FDMA910PZ
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-20
- VGS Max (V)
：8
- VGS(th) Max (V)
：-1.5
- ID Max (A)
：-9.4
- PD Max (W)
：2.4
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：24
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：20
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：5.2
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：21
- Ciss Typ (pF)
：2110
- Package Type
：WDFN-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
24+ |
DFN |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
Fairchild/ON |
22+ |
6VDFN |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON Semiconductor |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ONSemiconductor |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
14+ |
DFN2*2 |
3000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON |
2023+ |
DFN |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 | ||
onsemi |
2025+ |
MicroFET 2 x 2 |
55740 |
询价 | |||
NK/南科功率 |
2025+ |
DFN2020-6 |
3000 |
国产南科平替供应大量 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
WDFN-6 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 |
