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FDMA86151L	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，3.3A，88mΩ 该器件设计用于提供同步降压转换器的最高效率和热性能。低 rDS(on)和栅极电荷提供了出色的开关性能。 • 最大 rDS(on) = 88 mΩ（VGS = 10 V、ID = 3.3 A 时）\n• 最大 rDS(on) = 132 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 2.7 A 时）\n• 薄型 – 最大 0.8mm，采用新型 MicroFET 2x2 mm 封装\n• 无卤素化合物和锑氧化物\n•符合 RoHS 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDMC3612	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN	ON/安森美上传：深圳市创盛芯科技有限公司	ON/安森美
FDMC5614P	文件：0 bytes Page：0 Pages	Power-33-8	ON 上传：深圳市金嘉锐电子有限公司	ON
FDMC6676BZ	文件：0 bytes Page：0 Pages	DFN-8	FAIRCHILD/仙童上传：深圳德田科技有限公司	FAIRCHILD/仙童
FDMC6676BZ	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFN	FAIRCHILD/仙童上传：深圳德田科技有限公司	FAIRCHILD/仙童

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
100
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
3
ID Max (A)：
3.3
PD Max (W)：
2.4
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
132
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
88
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
2.6
Ciss Typ (pF)：
322
Package Type：
WDFN-6

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更多FDMA86151L供应商更新时间2026-4-24 14:31:00

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