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FDJ1027P	文件：1.11161 Mbytes Page：6 Pages	P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDJ1027P	文件：134.91 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDJ1027P_06	文件：1.11161 Mbytes Page：6 Pages	P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDMA1027P	文件：108.33 Kbytes Page：6 Pages	DualP-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription Thisdeviceisdesignedspecificallyasasinglepackagesolutionforthebatterychargeswitchincellularhandsetandotherultra-portableapplications.ItfeaturestwoindependentP-ChannelMOSFETswithlowon-stateresistanceforminimumconductionlosses.Whenconnectedi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDMA1027P	文件：845.86 Kbytes Page：7 Pages	DualP-ChannelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDMA1027P	文件：863.56 Kbytes Page：7 Pages	DualP-ChannelPowerTrench짰MOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDMA1027PT	文件：294.76 Kbytes Page：6 Pages	DualP-ChannelPowerTrench짰MOSFET-20V,-3A,120m廓 GeneralDescription Thisdeviceisdesignedspecificallyasasinglepackagesolutionforthebatterychargeswitchincellularhandsetandotherultra-portableapplications.ItfeaturestwoindependentP-ChannelMOSFETswithlowon-stateresistanceforminimumconductionlosses.Whenconnectedi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FIN1027	文件：946.5 Kbytes Page：12 Pages	3.3VLVDS2-BitHighSpeedDifferentialDriver GeneralDescription ThisdualdriverisdesignedforhighspeedinterconnectsutilizingLowVoltageDifferentialSignaling(LVDS)technology.ThedrivertranslatesLVTTLsignallevelstoLVDSlevelswithatypicaldifferentialoutputswingof350mVwhichprovideslowEMIatultralowpowerdissi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FIN1027	文件：700.74 Kbytes Page：11 Pages	3.3VLVDS,2-Bit,High-Speed,DifferentialDriver	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FIN1027A	文件：752.46 Kbytes Page：13 Pages	3.3VLVDS,2-Bit,High-Speed,DifferentialDriver	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
FDJ1027P
功能描述：
MOSFET 1.8 V P-CH PowerTrench MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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