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FDD7N60NZTM

N-Channel UniFETTM II MOSFET 600 V, 5.5 A, 1.25 廓

文件:668.7 Kbytes 页数:9 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDP7N60NZ

N-Channel UniFETTM II MOSFET

文件:354.58 Kbytes 页数:10 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDP7N60NZ

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID= 6.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.25Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

文件:333.08 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

FDPF7N60NZ

N-Channel MOSFET 600V, 6.5A, 1.25?

文件:285.95 Kbytes 页数:10 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

详细参数

  • 型号:

    FDD7N60NZTM

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel 600V 5.5A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FDD7N60NZTM供应商 更新时间2025-10-13 9:23:00