N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

General Description This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. These devices are well suited for portable e

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FAIRCHILD

仙童半导体

P 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，1.9 A，115mΩ

此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大程度地降低导通阻抗并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。 这些器件非常适合便携式电子产品应用。 •1.9 A，20 V。 RDS(ON) = 0.115 Ω @ VGS = 4.5 V，RDS(ON) = 0.150 Ω @ VGS = 2.5 V。\n• RDS(ON) = 0.115 Ω @ VGS = 4.5 V\n• RDS(ON) = 0.150 Ω @ VGS = 2.5 V\n•低栅极电荷（典型值3nC）。\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)。\n•紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装。;

ONSEMI

安森美半导体

2-PACK MOSFET MODULE

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KECKEC(Korea Electronics)

开益禧无锡开益禧半导体有限公司

Green Mode Fairchild Power Switch (FPSTM)

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FAIRCHILD

仙童半导体

Green Mode Fairchild Power Switch (FPS TM)

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FAIRCHILD

仙童半导体