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FDFS2P753Z	文件：300 bytes Page：1 Pages	-30V Integrated P-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode; Max rDS(on) = 115mΩ at VGS = -10V, ID = -3.0A\nMax rDS(on) = 180mΩ at VGS = -4.5V, ID = -1.5A\nVF \nVF \nSchottky and MOSFET incorporated into single power surface mount S0-8 package\nElectrically independent Schottky and MOSFET pinout for design flexibility\nRoHS Compliant\n; FDFS2P753Z将飞兆PowerTrench MOSFET技术所具有的卓越性能与正向压降非常低的肖特基势垒整流器融合在SO-8封装中。此器件专门设计为DC至DC转换器的单封装解决方案。它具有快速开关、低栅极电荷的MOSFET以及极低的通态电阻。独立连接的肖特基二极管允许其在大量DC/DC转换器拓扑下使用。	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FDFS2P753Z	文件：338.65 Kbytes Page：7 Pages	Integrated P-Channel PowerTrench짰 MOSFET and Schottky Diode	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDFS2P753AZ	文件：236.98 Kbytes Page：7 Pages	IntegratedP-ChannelPowerTrench짰MOSFETandSchottkyDiode-30V,-3A,115m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDFS2P753AZ	文件：269.72 Kbytes Page：7 Pages	IntegratedP-ChannelPowerTrench짰MOSFETandSchottkyDiode-30V,-3A,115m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

技术参数

Compliance：
Pb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
Integrated P-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode -30V
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
with Schottky Diode
V(BR)DSS Min (V)：
-30
VGS Max (V)：
25
VGS(th) Max (V)：
-3
ID Max (A)：
-3
PD Max (W)：
1.6
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
180
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
115
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
3.3
Ciss Typ (pF)：
340
Package Type：
SOIC-8

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