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FDFS2P753Z数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDFS2P753Z

功能描述

-30V Integrated P-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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FDFS2P753Z规格书详情

描述 Description

FDFS2P753Z将飞兆PowerTrench MOSFET技术所具有的卓越性能与正向压降非常低的肖特基势垒整流器融合在SO-8封装中。此器件专门设计为DC至DC转换器的单封装解决方案。 它具有快速开关、低栅极电荷的MOSFET以及极低的通态电阻。 独立连接的肖特基二极管允许其在大量DC/DC转换器拓扑下使用。

特性 Features

Max rDS(on) = 115mΩ at VGS = -10V, ID = -3.0A
Max rDS(on) = 180mΩ at VGS = -4.5V, ID = -1.5A
VF
VF
Schottky and MOSFET incorporated into single power surface mount S0-8 package
Electrically independent Schottky and MOSFET pinout for design flexibility
RoHS Compliant

应用 Application

This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDFS2P753Z

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-freeHalide free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : Integrated P-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode -30V

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :with Schottky Diode

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-30

  • VGS Max (V)

    :25

  • VGS(th) Max (V)

    :-3

  • ID Max (A)

    :-3

  • PD Max (W)

    :1.6

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :180

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :115

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :3.3

  • Ciss Typ (pF)

    :340

  • Package Type

    :SOIC-8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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