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FDFME3N311ZT中文资料30V Integrated N-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode数据手册ONSEMI规格书
FDFME3N311ZT规格书详情
描述 Description
该器件特别设计为一个单封装解决方案，适用于手机和其他超便携应用的升压拓朴。 该器件具有一个带低输入电容、完整栅极电荷和通态电阻的MOSFET。 以及一个独立连接的低正向电压和反向泄漏电流的肖特基二极管，可最大限度地提高效率。MicroFET 1.6x1.6薄型封装虽然体积小巧，却能提供出色的热性能，非常适合开关和线性模式应用。
特性 Features
VGS = 4.5 V，ID = 1.6 A时，最大rDS(on) = 299 mΩ
VGS= 2.5 V，ID = 1.3 A时，最大rDS(on) = 410 mΩ
薄型： 0.55 mm最大值，新的MicroFET 1.6x1.6薄型封装
不含有卤化合物和氧化锑
HBM静电放电保护等级为>1600V（注3）
符合 RoHS 标准
应用 Application
This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDFME3N311ZT
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-freeHalide free
- Status
： Active
- Description
： Integrated N-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode 30 V
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：with Schottky Diode
- V(BR)DSS Min (V)
：30
- VGS Max (V)
：12
- VGS(th) Max (V)
：1.5
- ID Max (A)
：1.8
- PD Max (W)
：1.4
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：410
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：299
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：1
- Ciss Typ (pF)
：55
- Package Type
：UDFN-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
8099 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
UMLP |
15000 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD |
10+ |
UMLP |
516 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD |
2450+ |
UMLP |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
SOP |
3000 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
UMLP |
3016 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2223+ |
UMLP |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
24+ |
原厂原封 |
6523 |
进口原装公司百分百现货可出样品 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
SOP |
36500 |
一级代理/放心采购 |
询价 |
