FDFMA3N109数据手册ONSEMI中文资料规格书

描述 Description

该器件特别设计为一个单封装解决方案，适用于手机和其他超便携应用的升压拓朴。 该器件具有一个低输入电容的MOSFET、完整的栅极电荷、导通电阻以及一个独立连接的肖特基二极管。此肖特基二极管具有低正向电压和反向漏电流，以尽可能提高升压效率。 MicroFET 2x2封装以其紧凑的尺寸提供了卓越的热性能，非常适用于开关和线性模式应用。

特性 Features

•RDS(ON) = 140 mΩ @ VGS = 3.0 V
• RDS(ON) = 123 mΩ @ VGS = 4.5 V
•RDS(ON) = 163 mΩ（VGS = 2.5V时）肖特基二极管：
•VF < 0.46 V (500mA)
•薄型 - 最厚0.8mm - 采用新的MicroFET 2x2 mm封装
•HBM ESD保护电平 = 1.8kV典型值 （注3）
•符合 RoHS 标准
•RoHS Compliant

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.