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FDFMA2N028Z数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDFMA2N028Z

功能描述

集成式 N 沟道,Power Trench® MOSFET 和肖特基二极管,20V,3.7A,68mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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FDFMA2N028Z规格书详情

描述 Description

该器件特别设计为一个单封装解决方案,适用于手机和其他超便携应用的升压拓朴。 它采用具有低通态电阻的MOSFET,以及一个独立连接的低正向电压肖特基二极管。MicroFET 2x2封装以其紧凑的尺寸提供了卓越的热性能,非常适用于开关和线性模式应用。

特性 Features

•最大rDS(on) = 68mΩ at VGS = 4.5V, ID = 3.7A
•最大 rDS(on) = 86mΩ at VGS = 2.5V, ID = 3.3A
•HBM静电放电保护等级为>2kV(注3)肖特基
•VF < 0.37V (500mA)
•薄型 – 最大0.8mm – 采用新的MicroFET2x2 mm封装
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDFMA2N028Z

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :with Schottky Diode

  • V(BR)DSS Min (V)

    :20

  • VGS Max (V)

    :12

  • VGS(th) Max (V)

    :1.5

  • ID Max (A)

    :3.7

  • PD Max (W)

    :1.4

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :86

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :68

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :4

  • Ciss Typ (pF)

    :340

  • Package Type

    :WDFN-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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