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FDFMA2N028Z规格书详情
描述 Description
该器件特别设计为一个单封装解决方案,适用于手机和其他超便携应用的升压拓朴。 它采用具有低通态电阻的MOSFET,以及一个独立连接的低正向电压肖特基二极管。MicroFET 2x2封装以其紧凑的尺寸提供了卓越的热性能,非常适用于开关和线性模式应用。
特性 Features
•最大rDS(on) = 68mΩ at VGS = 4.5V, ID = 3.7A
•最大 rDS(on) = 86mΩ at VGS = 2.5V, ID = 3.3A
•HBM静电放电保护等级为>2kV(注3)肖特基
•VF < 0.37V (500mA)
•薄型 – 最大0.8mm – 采用新的MicroFET2x2 mm封装
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
:FDFMA2N028Z
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- Configuration
:with Schottky Diode
- V(BR)DSS Min (V)
:20
- VGS Max (V)
:12
- VGS(th) Max (V)
:1.5
- ID Max (A)
:3.7
- PD Max (W)
:1.4
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:86
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:68
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:4
- Ciss Typ (pF)
:340
- Package Type
:WDFN-6
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
3000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
DFN6 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 |
询价 | ||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
12200 |
原装进口特价供应 特价,原装元器件供应,支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
询价 | ||
ONSEMI |
两年内 |
N/A |
3000 |
原装现货,实单价格可谈 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
21+ |
DFN |
5563 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
1942+ |
DFN6 |
9852 |
只做原装正品现货或订货!假一赔十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
6-MICROFET |
25000 |
只有原装原装,支持BOM配单 |
询价 | ||
24+ |
DFN6 |
9000 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
询价 | |||
Fairchild |
24+ |
Microfet2x2 |
7500 |
询价 |