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FDFM2P110中文资料-20V Integrated P-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDFM2P110

功能描述

-20V Integrated P-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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FDFM2P110规格书详情

描述 Description

FDFM2P110将飞兆的PowerTrench MOSFET技术所带来的卓越性能与正向压降非常低的肖特基势垒整流器融合在MicroFET封装中。 该器件专门设计用作实现降压升压的单一封装解决方案。 它具有快速开关、低栅极电荷的MOSFET以及极低的通态电阻。

特性 Features

•-3.5A,-20V
•RDS(ON) = 140 mΩ @ VGS = -4.5V
•RDS(ON) = 200 mΩ @ VGS = -2.5V
•薄型 – 最大0.8mm – 采用新的MicroFET 3x3 mm封装

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDFM2P110

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :with Schottky Diode

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-20

  • VGS Max (V)

    :12

  • VGS(th) Max (V)

    :-1.5

  • ID Max (A)

    :-3.5

  • PD Max (W)

    :2

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :200

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :140

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :3

  • Ciss Typ (pF)

    :280

  • Package Type

    :WDFN-6

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