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FDFM2N111数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDFM2N111

功能描述

20V集成式P沟道PowerTrench® MOSFET和肖特基二极管

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:16:00

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FDFM2N111规格书详情

描述 Description

FDFM2N111将飞兆半导体的 PowerTrench MOSFET 技术所带来的卓越性能与正向压降非常低的肖特基势垒整流器融合在 MicroFET 封装中。该器件专门设计为标准降压转换器的单封装解决方案。 它具有带极低通态电阻的快速开关、低栅极电荷 MOSFET。

特性 Features

•4 A,20 V
•RDS(ON) = 100 mΩ @ VGS = 4.5 V
•RDS(ON) = 150 mΩ @ VGS = 2.5 V
•小型 - 0.8 毫米最大值 - 采用新封装 MicroFET 3×3 毫米

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDFM2N111

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :with Schottky Diode

  • V(BR)DSS Min (V)

    :20

  • VGS Max (V)

    :12

  • VGS(th) Max (V)

    :1.5

  • ID Max (A)

    :4

  • PD Max (W)

    :1.7

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :150

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :100

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :2.7

  • Ciss Typ (pF)

    :273

  • Package Type

    :WDFN-6

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