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FDFMA2P029Z数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDFMA2P029Z

功能描述

集成式 P 沟道,Power Trench® MOSFET 和肖特基二极管,-20V,3.1A,95mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 10:08:00

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FDFMA2P029Z规格书详情

描述 Description

该器件专门设计为单封装解决方案,适合蜂窝手机和其他超便携应用的电池充电开关。 它具有一个低通态电阻的MOSFET和一个独立连接的低正向电压肖特基二极管,可最大限度地降低传导损耗。MicroFET 2X2封装因其外形尺寸而具有卓越的热性能,非常适合线性模式应用。

特性 Features

•最大rDS(on) = 95mΩ(VGS = -4.5V且ID = -3.1A时)
•最大rDS(on) = 141mΩ(VGS = -2.5V且ID = -2.5A时)
•HBM静电放电保护等级为>2.5kV(注3)肖特基
•VF < 0.37V (500mA)
•薄型 – 最大0.8mm – 采用新的MicroFET 2x2 mm封装
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :FDFMA2P029Z

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :with Schottky Diode

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-20

  • VGS Max (V)

    :12

  • VGS(th) Max (V)

    :-1.5

  • ID Max (A)

    :-3.1

  • PD Max (W)

    :1.4

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :141

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :95

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :7

  • Ciss Typ (pF)

    :540

  • Package Type

    :WDFN-6

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