FDFMA2P029Z中文资料集成式 P 沟道，Power Trench® MOSFET 和肖特基二极管，-20V，3.1A，95mΩ数据手册ONSEMI规格书

描述 Description

该器件专门设计为单封装解决方案，适合蜂窝手机和其他超便携应用的电池充电开关。 它具有一个低通态电阻的MOSFET和一个独立连接的低正向电压肖特基二极管，可最大限度地降低传导损耗。MicroFET 2X2封装因其外形尺寸而具有卓越的热性能，非常适合线性模式应用。

特性 Features

•最大rDS(on) = 95mΩ（VGS = -4.5V且ID = -3.1A时）
•最大rDS(on) = 141mΩ（VGS = -2.5V且ID = -2.5A时）
•HBM静电放电保护等级为>2.5kV（注3）肖特基
•VF < 0.37V (500mA)
•薄型 – 最大0.8mm – 采用新的MicroFET 2x2 mm封装
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.