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FDPF7N60NZ	文件：285.95 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel MOSFET 600V, 6.5A, 1.25?	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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FDPF7N60NZ	文件：296.56 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDU7N60NZTU	文件：668.7 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelUniFETTMIIMOSFET600V,5.5A,1.25廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGB7N60UNDF	文件：754.78 Kbytes Page：9 Pages	600V,7AShortCircuitRatedIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGP7N60RUFD	文件：861.28 Kbytes Page：9 Pages	600V,7ARUFIGBTCO-PAK Description FairchildsInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.ThedeviceisdesignedforMotorapplicationswhereruggednessisarequiredfeature. Features •Highspeedswitching •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.95V@IC=7A •Highin	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGP7N60RUFD	文件：1.7082 Mbytes Page：9 Pages	600V,7ARUFIGBTCO-PAK Description FairchildsInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.ThedeviceisdesignedforMotorapplicationswhereruggednessisarequiredfeature. Features •Highspeedswitching •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.95V@IC=7A •Highin	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGP7N60RUFDTU	文件：1.7082 Mbytes Page：9 Pages	600V,7ARUFIGBTCO-PAK Description FairchildsInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.ThedeviceisdesignedforMotorapplicationswhereruggednessisarequiredfeature. Features •Highspeedswitching •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.95V@IC=7A •Highin	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGPF7N60LSD	文件：791.85 Kbytes Page：9 Pages	600V,7ALowSaturationIGBTCO-PAK Description FairchildsInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)providesverylowconductionandswitchinglosses.ThedeviceisdesignedforLampapplicationswhereverylowOn-VoltageDropisarequiredfeature. Features •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.4V@IC=7A •Highinputimp	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGPF7N60RUFD	文件：902.05 Kbytes Page：9 Pages	600V,7ARUFIGBTCO-PAK Description FairchildsInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.ThedeviceisdesignedforMotorapplicationswhereruggednessisarequiredfeature. Features •Highspeedswitching •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.95V@IC=7A •Highin	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
FDPF7N60NZ
功能描述：
MOSFET 600V NChannel MOSFET UniFET-II
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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