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FDPF7N60NZ中文资料功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM II，600 V，6.5 A，1.25Ω，TO-220F数据手册ONSEMI规格书
FDPF7N60NZ规格书详情
描述 Description
UniFETTM II MOSFET 是飞兆半导体的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形技术和 DMOS 技术。该先进MOSFET系列产品在平面 MOSFET 产品中具有最小的通态电阻，还可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部的栅源 ESD 二极管使 UniFET II MOSFET 产品可承受超过 2kV 的 HBM 冲击应力。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。
特性 Features
•RDS(on) = 1.05Ω （典型值）@ VGS = 10V, ID = 3.25A栅极电荷低（典型值：13nC)
•低 Crss（典型值7pF)
•100% 经过雪崩击穿测试
•提高了 dv/dt 性能
•改进了 ESD 防护能力
•符合 RoHS 标准
•RoHS compliant
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
• LCD / LED / PDP TV
• Lighting
• Uninterruptible Power Supplies
• AC-DC Power Supplies
技术参数
- 制造商编号
：FDPF7N60NZ
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：600
- VGS Max (V)
：±25
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：6.5
- PD Max (W)
：33
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：1250
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：13
- Ciss Typ (pF)
：550
- Package Type
：TO-220-3 FullPak
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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