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FDPF680N10T中文资料N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V, 12A, 68mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDPF680N10T

功能描述

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V, 12A, 68mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-11-23 23:00:00

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FDPF680N10T规格书详情

描述 Description

该 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的 PowerTrench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。

特性 Features

•RDS(on) = 54mΩ (典型值)@ VGS = 10V, ID = 6A
•快速开关速度
•低栅极电荷
•高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)
•高功率和高电流处理能力
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• 消费型设备
• LCD / LED / PDP TV
• Synchronous Rectification
• Uninterruptible Power Supplies
• Micro Solar Inverters

技术参数

  • 制造商编号

    :FDPF680N10T

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :100

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4.5

  • ID Max (A)

    :12

  • PD Max (W)

    :24

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :68

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :13

  • Ciss Typ (pF)

    :750

  • Package Type

    :TO-220-3 FullPak

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