N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100V, 12A, 68m廓

Description This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor®’s advance PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintain ing superior switching performance. Features • RDS(on) = 54 mΩ ( Typ.)@ VGS = 10 V, ID = 6 A • Fast

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仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V, 12A, 68mΩ

该 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的 PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。 •RDS(on) = 54mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 6A\n•快速开关速度\n•低栅极电荷\n•高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)\n•高功率和高电流处理能力\n•符合 RoHS 标准;

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SOP-8

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