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FDPF680N10T	文件：696.88 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100V, 12A, 68m廓 Description ThisN-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor®’sadvancePowerTrench®processthathas beentailoredtominimizetheon-stateresistancewhilemaintainingsuperiorswitchingperformance. Features •RDS(on)=54mΩ(Typ.)@VGS=10V,ID=6A •Fast	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDPF680N10T	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V, 12A, 68mΩ; •RDS(on) = 54mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 6A\n•快速开关速度\n•低栅极电荷\n•高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)\n•高功率和高电流处理能力\n•符合 RoHS 标准\n; 该 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的 PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FDPF680N10T	文件：319.06 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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FDPF680N10T

文件：696.88 Kbytes

Page：8 Pages

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100V, 12A, 68m廓

Description ThisN-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor®’sadvancePowerTrench®processthathas beentailoredtominimizetheon-stateresistancewhilemaintainingsuperiorswitchingperformance. Features •RDS(on)=54mΩ(Typ.)@VGS=10V,ID=6A •Fast

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

FDPF680N10T

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N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V, 12A, 68mΩ; •RDS(on) = 54mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 6A\n•快速开关速度\n•低栅极电荷\n•高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)\n•高功率和高电流处理能力\n•符合 RoHS 标准\n;

该 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的 PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

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isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
100
VGS Max (V)：
±20
VGS(th) Max (V)：
4.5
ID Max (A)：
12
PD Max (W)：
24
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
68
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
13
Ciss Typ (pF)：
750
Package Type：
TO-220-3 FullPak

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