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FDPF680N10T	文件：696.88 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100V, 12A, 68m廓 Description ThisN-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor®’sadvancePowerTrench®processthathas beentailoredtominimizetheon-stateresistancewhilemaintainingsuperiorswitchingperformance. Features •RDS(on)=54mΩ(Typ.)@VGS=10V,ID=6A •Fast	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDPF680N10T	文件：319.06 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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FDPF680N10T

文件：696.88 Kbytes

Page：8 Pages

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100V, 12A, 68m廓

Description ThisN-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor®’sadvancePowerTrench®processthathas beentailoredtominimizetheon-stateresistancewhilemaintainingsuperiorswitchingperformance. Features •RDS(on)=54mΩ(Typ.)@VGS=10V,ID=6A •Fast

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

FDPF680N10T

文件：319.06 Kbytes

Page：2 Pages

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

详细参数

型号：
FDPF680N10T
功能描述：
MOSFET N-Ch PowerTrench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDPF680N10T供应商更新时间2024-5-16 16:36:00

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