FDPF5N50T中文资料功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，500 V，5 A，1.4 Ω，TO-220F数据手册ONSEMI规格书
FDPF5N50T规格书详情
描述 Description
UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。
特性 Features
•RDS(on) = 1.15Ω （典型值）@ VGS = 10V, ID = 2.5A
•低栅极电荷（典型值 11nC）
•低 Crss（典型值 5pF）
•100% 经过雪崩击穿测试
•提高了 dv/dt 处理能力
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
• LCD / LED / PDP TV
• Lighting
• Uninterruptible Power Supplies
• AC-DC Power Supplies
技术参数
- 制造商编号
：FDPF5N50T
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：500
- VGS Max (V)
：±30
- VGS(th) Max (V)
：5
- ID Max (A)
：5
- PD Max (W)
：28
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：1400
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：11
- Ciss Typ (pF)
：480
- Package Type
：TO-220-3 FullPak
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