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FDPF39N20TLDTU中文资料N 沟道 UniFETTM MOSFET 200 V,39 A,66 mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDPF39N20TLDTU

功能描述

N 沟道 UniFETTM MOSFET 200 V,39 A,66 mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 17:06:00

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FDPF39N20TLDTU规格书详情

描述 Description

UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体公司的高压 MOSFET 系列产品,基于平面条形技术和 DMOS 技术开发。 该 MOSFET 产品专用于降低导通电阻,并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。

特性 Features

•RDS(on) = 66 mΩ(最大值),需 VGS = 10 V、ID = 19.5 A
•低栅极电荷(典型值 38 nC)
•低Crss(典型值 57 pF)
•100% 经过雪崩击穿测试

应用 Application

• PDP TV
• Lighting
• Uninterruptible Power Supplies
• AC-DC Power Supplies

技术参数

  • 制造商编号

    :FDPF39N20TLDTU

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :200

  • VGS Max (V)

    :5

  • VGS(th) Max (V)

    :5

  • ID Max (A)

    :23.4

  • PD Max (W)

    :37

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :66

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :38

  • Ciss Typ (pF)

    :1640

  • Package Type

    :TO-220-3 FullPak

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