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FDPF770N15A中文资料N 沟道，PowerTrench® MOSFET，150V，10A，77mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDPF770N15A规格书详情
描述 Description
此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
特性 Features
•RDS(on) = 60mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 10A
•快速开关速度
•低栅极电荷，QG = 8.6nC（典型值）
•高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)
•高功率和高电流处理能力
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• LED 电视
• 消费型设备
• 其他音频与视频
技术参数
- 制造商编号
：FDPF770N15A
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：150
- VGS Max (V)
：DC: ±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：10
- PD Max (W)
：21
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：77
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：77
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：8.6
- Ciss Typ (pF)
：575
- Package Type
：TO-220-3 FullPak
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO220F |
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