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FDPF770N15A

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 150V, 10A, 77m廓

文件:222.42 Kbytes 页数:9 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FDPF770N15A

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:318.05 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

FDPF770N15A

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,150V,10A,77mΩ

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 •RDS(on) = 60mΩ (典型值)@ VGS = 10V, ID = 10A\n•快速开关速度\n•低栅极电荷,QG = 8.6nC(典型值)\n•高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)\n•高功率和高电流处理能力\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

FDD770N15A

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 150V, ID= 20 A RDS(ON)

文件:685.88 Kbytes 页数:4 Pages

Bychip

百域芯

FDD770N15A

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:266.3 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

FDD770N15A

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

文件:639.58 Kbytes 页数:10 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    150

  • VGS Max (V):

    DC

  • VGS(th) Max (V):

    4

  • ID Max (A):

    10

  • PD Max (W):

    21

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    77

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    77

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    8.6

  • Ciss Typ (pF):

    575

  • Package Type:

    TO-220-3 FullPak

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FAIRCHILD/仙童
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更多FDPF770N15A供应商 更新时间2025-10-4 15:08:00