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DMN2013UFDEQ-13

丝印:N6;Package:U-DFN2020-6;20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Features  0.6mm Profile – Ideal for Low Profile Applications  PCB Footprint of 4mm2  Low Gate Threshold Voltage  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  The DMN2013UFDEQ is suitable for automotive

文件:532.33 Kbytes 页数:8 Pages

DIODES

美台半导体

DMN2013UFDEQ-13

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:293.96 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

DMN2044UCB4-7

DIODESINC

DMN2300UFD-7-81

X1-DFN1212-3

DIODES/美台

DMN24H3D5L-7

SOT-23

DIODES

美台半导体

上传:深圳市科芯源微电子有限公司

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更多DMN2013UFDEQ-13供应商 更新时间2026-1-29 16:42:00