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DMN2022UFDF	文件：313.25 Kbytes Page：6 Pages	Low Gate Threshold Voltage 文件：313.25 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2022UFDF_15	文件：313.25 Kbytes Page：6 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：313.25 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2022UFDF-13	文件：313.25 Kbytes Page：6 Pages	Low Gate Threshold Voltage 文件：313.25 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2022UFDF-13	文件：313.25 Kbytes Page：6 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：313.25 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2022UFDF-7	文件：313.25 Kbytes Page：6 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：313.25 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2022UFDF-7	文件：313.25 Kbytes Page：6 Pages	Low Gate Threshold Voltage 文件：313.25 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2022UFDF	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
20 V
VGS：
8 ±V
IDS @ TA = +25°C：
7.9 A
PD @ TA = +25°C：
0.66 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
22 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
26 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
36 mΩ
VGS (th) Max：
N/A V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
9.8 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
U-DFN2020-6 (Type F)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DMN2022UFDF供应商更新时间2025-10-11 15:01:00

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