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DMN2024UVT	文件：535.5 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description ThisnewgenerationMOSFETisdesignedtominimizetheon-state resistance(RDS(ON))yetmaintainsuperiorswitchingperformance, whichmakesitidealforhigh-efficiencypowermanagement applications. Applications Backlighting DC-DCConverters PowerManagementFunctions F	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2024UVT-13	文件：535.5 Kbytes Page：7 Pages	Marking：AR4；Package：TSOT26；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description ThisnewgenerationMOSFETisdesignedtominimizetheon-state resistance(RDS(ON))yetmaintainsuperiorswitchingperformance, whichmakesitidealforhigh-efficiencypowermanagement applications. Applications Backlighting DC-DCConverters PowerManagementFunctions F	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2024UVT-7	文件：535.5 Kbytes Page：7 Pages	Marking：AR4；Package：TSOT26；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description ThisnewgenerationMOSFETisdesignedtominimizetheon-state resistance(RDS(ON))yetmaintainsuperiorswitchingperformance, whichmakesitidealforhigh-efficiencypowermanagement applications. Applications Backlighting DC-DCConverters PowerManagementFunctions F	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2024UVTQ	文件：506.12 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features LowOn-Resistance Low-InputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) TheDMN2024UVTQissuitableforautomotiveapplication	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2024UVTQ-13	文件：506.12 Kbytes Page：7 Pages	Marking：AR4；Package：TSOT26；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features LowOn-Resistance Low-InputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) TheDMN2024UVTQissuitableforautomotiveapplication	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2024UVTQ-7	文件：506.12 Kbytes Page：7 Pages	Marking：AR4；Package：TSOT26；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features LowOn-Resistance Low-InputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) TheDMN2024UVTQissuitableforautomotiveapplication	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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