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DMN2024UVT	文件：535.5 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, which makes it ideal for high-efficiency power management applications. Applications Backlighting DC-DC Converters Power Management Functions F 文件：535.5 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2024UVT-13	文件：535.5 Kbytes Page：7 Pages	丝印：AR4；Package：TSOT26；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, which makes it ideal for high-efficiency power management applications. Applications Backlighting DC-DC Converters Power Management Functions F 文件：535.5 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2024UVT-7	文件：535.5 Kbytes Page：7 Pages	丝印：AR4；Package：TSOT26；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, which makes it ideal for high-efficiency power management applications. Applications Backlighting DC-DC Converters Power Management Functions F 文件：535.5 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2024UVTQ	文件：506.12 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low-Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  The DMN2024UVTQ is suitable for automotive application 文件：506.12 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2024UVTQ-13	文件：506.12 Kbytes Page：7 Pages	丝印：AR4；Package：TSOT26；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low-Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  The DMN2024UVTQ is suitable for automotive application 文件：506.12 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2024UVTQ-7	文件：506.12 Kbytes Page：7 Pages	丝印：AR4；Package：TSOT26；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low-Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  The DMN2024UVTQ is suitable for automotive application 文件：506.12 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2024UVT	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) yet maintain superior switching performance, which makes it ideal for high-efficiency power management applications. • Low On-Resistance• Low-Input Capacitance• Fast Switching Speed• Low Input/Output Leakage;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN2024UVTQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP.	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
20 V
VGS：
10 ±V
IDS @ TA = +25°C：
7 A
PD @ TA = +25°C：
1 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
24 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
28 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
34 mΩ
VGS (th) Max：
0.9 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
7.1 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
0.9 nC
Packages：
TSOT26

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更多DMN2024UVT供应商更新时间2025-10-10 11:01:00

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