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DMN2024UFX	文件：651.83 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  ESD Protected  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automotive applications requiring specific change contr 文件：651.83 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2024UFX-7	文件：651.83 Kbytes Page：7 Pages	丝印：MEE；Package：V-DFN2050-4；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  ESD Protected  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automotive applications requiring specific change contr 文件：651.83 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2024UFX	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance(RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it idealfor high-efficiency power management applications. •Low On-Resistance\n•Low Input Capacitance\n•Fast Switching Speed\n•Low Input/Output Leakage\n•ESD Protected\n•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant \n•Halogen and Antimony Free. “Green” Device \n•For automotive applications requiring specific change control(i.e. parts qualified to AEC-Q100/101/2;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN2024UQ	文件：595.78 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low-Input Capacitance  Fast Switching Speed  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  The DMN2024UQ is suitable for automotive applications requiring specific change c 文件：595.78 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2024UTS	文件：397.85 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low Gate Threshold Voltage  Low On-Resistance  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automotive applications requiring specific change control (i.e. parts qualified to AEC-Q100/101/ 文件：397.85 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2024UVT	文件：535.5 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, which makes it ideal for high-efficiency power management applications. Applications Backlighting DC-DC Converters Power Management Functions F 文件：535.5 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
20 V
VGS：
10 ±V
IDS @ TA = +25°C：
8 A
PD @ TA = +25°C：
2.1 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
22 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
26 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
6.5 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
14.8 nC
Packages：
V-DFN2050-4

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