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DMN2019UTS_15	文件：229.33 Kbytes Page：6 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：229.33 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2019UTS-13	文件：229.33 Kbytes Page：6 Pages	Low On-Resistance 文件：229.33 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2019UTS	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
20 V
VGS：
12 ±V
IDS @ TA = +25°C：
5.4 A
PD @ TA = +25°C：
0.78 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
18.5 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
21 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
24 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
31 mΩ
VGS (th) Max：
0.95 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
8.8 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
TSSOP-8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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