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DMN2024UDH	文件：676.99 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, which makes it ideal for high-efficiency power management applications. Features and Benefits  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast 文件：676.99 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2024UDH-7	文件：676.99 Kbytes Page：7 Pages	丝印：CN9；Package：U-DFN3030-8；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description and Applications This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, which makes it ideal for high-efficiency power management applications. Features and Benefits  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast 文件：676.99 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2024UDH	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, which makes it ideal for high-efficiency power management applications. •Low On-Resistance\n•Low Input Capacitance\n•Fast Switching Speed\n•Low Input/Output Leakage\n•ESD Protected Gate\n•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant\n•Halogen and Antimony Free. “Green” Device;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN2024UFDF	文件：482.95 Kbytes Page：8 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Description This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, which makes it ideal for high-efficiency power management applications. Applications  Battery Management Application  Power Management Functions  DC-DC Convert 文件：482.95 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2024UFU	文件：480.24 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low Gate Threshold Voltage  Low On-Resistance  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automotive applications requiring specific change control (i.e. parts qualified to AEC-Q100/101/ 文件：480.24 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2024UFX	文件：651.83 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  ESD Protected  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automotive applications requiring specific change contr 文件：651.83 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
20 V
VGS：
10 ±V
IDS @ TA = +25°C：
5.2 A
PD @ TA = +25°C：
1.1 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
23 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
27 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
34 mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
7.1 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
0.9 nC
Packages：
U-DFN3030-8

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