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DMN2024UFU	文件：480.24 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low Gate Threshold Voltage  Low On-Resistance  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automotive applications requiring specific change control (i.e. parts qualified to AEC-Q100/101/ 文件：480.24 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2024UFU-13	文件：480.24 Kbytes Page：7 Pages	丝印：R28；Package：U-DFN2030-6；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low Gate Threshold Voltage  Low On-Resistance  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automotive applications requiring specific change control (i.e. parts qualified to AEC-Q100/101/ 文件：480.24 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2024UFU-7	文件：480.24 Kbytes Page：7 Pages	丝印：R28；Package：U-DFN2030-6；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low Gate Threshold Voltage  Low On-Resistance  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automotive applications requiring specific change control (i.e. parts qualified to AEC-Q100/101/ 文件：480.24 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2024UFU	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.\n\n •Low Gate Threshold Voltage\n•ESD Protected Gate\n•Halogen and Antimony Free. “Green” Device \n•For automotive applications requiring specific change control (i.e. parts qualified to AEC-Q100/101/200, PPAP capable, and manufactured in IATF 16949 certified facilities), pleasecontact us or your local ;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
20 V
VGS：
10 ±V
IDS @ TA = +25°C：
7.5 A
PD @ TA = +25°C：
1.7 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
20.2 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
23.5 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
0.95 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
6.5 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
14.8 nC
Packages：
U-DFN2030-6 (Type B)

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