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DMN2013UFDEWQ	文件：614.8 Kbytes Page：7 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  0.6mm Profile – Ideal for Low Profile Applications  Low Gate Threshold Voltage  ESD Protected Gate  Additional Tin-Plated on Sidewall Pads for Optical Solder Inspection  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3 文件：614.8 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2013UFDEWQ-13	文件：614.8 Kbytes Page：7 Pages	丝印：N6P；Package：U-DFN2020-6/SWP；20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  0.6mm Profile – Ideal for Low Profile Applications  Low Gate Threshold Voltage  ESD Protected Gate  Additional Tin-Plated on Sidewall Pads for Optical Solder Inspection  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3 文件：614.8 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2013UFDEWQ-7	文件：614.8 Kbytes Page：7 Pages	丝印：N6P；Package：U-DFN2020-6/SWP；20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  0.6mm Profile – Ideal for Low Profile Applications  Low Gate Threshold Voltage  ESD Protected Gate  Additional Tin-Plated on Sidewall Pads for Optical Solder Inspection  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3 文件：614.8 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2013UFDEWQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

AECQualified：
Yes
Polarity：
N
N)：
Yes
(V)：
20 V
(±V)：
8 ±V
@TA = +25°C (A)：
10.5 A
@TC = +25°C (A)：
- A
PD @TA = +25°C (W)：
2.3 W
PD @TC = +25°C (W)：
- W
RDS(ON)Max@ VGS(10V) (mΩ)：
- mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V) (mΩ)：
11 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V) (mΩ)：
13 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V) (mΩ)：
30 mΩ
Min (V)：
0.5 V
Max (V)：
1.1 V
= 4.5V (nC)：
28.7 nC
= 10V (nC)：
52.6 (@8V) nC
CISS Typ (pF)：
2508 pF
(V)：
10 V
Packages：
U-DFN2020-6/SWP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市百诺芯科技有限公司	DMN2013UFDEWQ-7	DIODES/美台	23+	NA	12730	原装正品代理渠道价格优势	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	DMN2013UFDEWQ-7	DIODES/美台	23+	NA	6500	专注配单,只做原装进口现货	询价
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