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DMN2022UNS	文件：352.5 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：352.5 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2022UNS-13	文件：352.5 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：352.5 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2022UNS-7	文件：352.5 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：352.5 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2022UNS	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Low On-Resistance \nLow Input Capacitance \nFast Switching Speed\nLow Input/Output Leakage\nComplementary Pair MOSFET\nESD Protected Up to 2kV \nTotally Lead-Free & Fully RoHS Compliant\nHalogen and Antimony Free. “Green” Device;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
20 V
VGS：
10 ±V
IDS @ TA = +25°C：
10.7 A
PD @ TA = +25°C：
1.2 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
10.8 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
14.5 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
17 mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
20.3 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
PowerDI3333-8 (Type UXB)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DMN2022UNS供应商更新时间2025-12-14 15:01:00

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