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DMN2025UFDB-7

Marking:O5;Package:U-DFN2020-6;DUAL 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Features 0.6mmProfile–IdealforLowProfileApplications PCBFootprintof4mm2 LowGateThresholdVoltage FastSwitchingSpeed ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Forautomotiveappl

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DMC2025UFDB-7

COMPLEMENTARYPAIRENHANCEMENTMODEMOSFET

Features PCBFootprintof4mm2 LowOn-Resistance LowInputCapacitance LowProfile,0.6mmMaximumHeight ESDProtectedGate TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Forautomotiveapplicationsrequiringspecificchangecontro

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

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DFN-6(2x2)
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更多DMN2025UFDB-7供应商 更新时间2025-7-23 15:14:00