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DMN2025UFDF	文件：492.86 Kbytes Page：8 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features • 0.6mm Profile – Ideal for Low Profile Applications • PCB Footprint of 4mm2 • Low Gate Threshold Voltage • Fast Switching Speed • ESD Protected Gate • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • For automotive appl 文件：492.86 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2025UFDF-13	文件：492.86 Kbytes Page：8 Pages	丝印：5F；Package：U-DFN2020-6；20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features • 0.6mm Profile – Ideal for Low Profile Applications • PCB Footprint of 4mm2 • Low Gate Threshold Voltage • Fast Switching Speed • ESD Protected Gate • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • For automotive appl 文件：492.86 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2025UFDF-7	文件：492.86 Kbytes Page：8 Pages	丝印：5F；Package：U-DFN2020-6；20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features • 0.6mm Profile – Ideal for Low Profile Applications • PCB Footprint of 4mm2 • Low Gate Threshold Voltage • Fast Switching Speed • ESD Protected Gate • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • For automotive appl 文件：492.86 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2025UFDF	文件：300 bytes Page：1 Pages	mosfets	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
20 V
VGS：
10 ±V
IDS @ TA = +25°C：
6.5 A
PD @ TA = +25°C：
1.6 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
25 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
31 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
60 mΩ
VGS (th) Max：
1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
5.9 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
12.3 nC
Packages：
U-DFN2020-6 (Type F)

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