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DMN2016LHAB	文件：302.67 Kbytes Page：6 Pages	Low On-Resistance 文件：302.67 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2016LHAB	文件：302.67 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：302.67 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2016LHAB_15	文件：302.67 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：302.67 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2016LHAB-7	文件：302.67 Kbytes Page：6 Pages	Low On-Resistance 文件：302.67 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2016LHAB	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET The uses advanced trench technology to\nprovide excellent RDS(ON), low gate charge and operation\nwith gate voltages as low as -1.8V while retaining a -12V\nVGS(MAX) rating. It is ESD protected. This device is suitable\nfor use as a uni-directional or bi-directional load switch,\nfacilitated by its	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
20 V
VGS：
N/A ±V
IDS @ TA = +25°C：
7.5 A
PD @ TA = +25°C：
1.2 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
15.5 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
20 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
30 mΩ
VGS (th) Max：
1.1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
N/A nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
37 nC
Packages：
U-DFN2030-6 (Type B)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DMN2016LHAB供应商更新时间2026-1-17 10:30:00

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