CEB50N06G规格书供应代理华瑞CET-MOS-114ic电子网

首页 >CEB50N06G>规格书列表

零件编号	下载订购	功能描述/丝印	制造商上传企业	LOGO
CEB50N06G	文件：587.93 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V,55A,RDS(ON)=20mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED50N06	文件：883.06 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,36A,RDS(ON)=18mΩ(typ)@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED50N06	文件：423.6 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,36A,RDS(ON)=18mW(typ)@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CED50N06G	文件：508.65 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,40A,RDS(ON)=20mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP50N06	文件：391.29 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,50A,RDS(ON)=17mΩ(typ)@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP50N06	文件：1.4536 Mbytes Page：6 Pages	50A,60VHeatsinkPlanarN-ChannelPowerMOSFET GeneralDescription ThisN-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorusingTHINKISemiconductoradvancedplanarstripe,DMOStechnologyintendedforoff-lineswitchmodepowersupply.Also,especiallydesignedtominimizerds(on)andhighruggedavalanchecharacteristics.TheTO-220M	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
CEP50N06	文件：1.14917 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CEP50N06	文件：636.35 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,50A,RDS(ON)=22mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP50N06G	文件：587.93 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,55A,RDS(ON)=20mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEU50N06	文件：883.06 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,36A,RDS(ON)=18mΩ(typ)@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市中福国际管理有限公司	CEB50N06G	CET/華瑞	23+	TO-263	360000	交期准时服务周到	询价
深圳市南科功率半导体有限公司	CEB50N06G	NK/南科功率	2025+	TO-263	986966	国产	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	CEB50N06低压MOS管	VBSEMI/台湾微碧	23+	TO-263	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市博中泰实业有限公司	CEB50N06低压MOS管	VBSEMI/台湾微碧	24+	TO-263	60000	全新原装现货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	CEB50N10	C	T0-263	22+	6000	十年配单,只做原装	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	CEB50N10	C	23+	T0-263	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市创新迹电子有限公司	CEB50N10	CET/華瑞	2022+	TO-263	30000	进口原装现货供应,原装假一罚十	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	CEB50P03	CET	1816+	.	6523	科恒伟业!只做原装正品,假一赔十!	询价
深圳市华来深电子有限公司	CEB50P03	CET	23+	TO-263	8560	受权代理!全新原装现货特价热卖!	询价
深圳市宇集芯电子有限公司	CEB50P03	CET	24+	TO-263	90000	进口原装现货假一罚十价格合理	询价

更多CEB50N06G供应商更新时间2025-6-13 10:34:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号