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CED50N06G	文件：508.65 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V,40A,RDS(ON)=20mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP50N06	文件：391.29 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,50A,RDS(ON)=17mΩ(typ)@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP50N06	文件：1.4536 Mbytes Page：6 Pages	50A,60VHeatsinkPlanarN-ChannelPowerMOSFET GeneralDescription ThisN-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorusingTHINKISemiconductoradvancedplanarstripe,DMOStechnologyintendedforoff-lineswitchmodepowersupply.Also,especiallydesignedtominimizerds(on)andhighruggedavalanchecharacteristics.TheTO-220M	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
CEP50N06	文件：1.14917 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CEP50N06	文件：636.35 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,50A,RDS(ON)=22mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP50N06G	文件：587.93 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,55A,RDS(ON)=20mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEU50N06	文件：883.06 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■60V,36A,RDS(ON)=18mΩ(typ)@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEU50N06	文件：1.01405 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CEU50N06	文件：991.61 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CEU50N06	文件：423.6 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,36A,RDS(ON)=18mW(typ)@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	CED50N06低压MOS管	VBSEMI/台湾微碧	23+	TO-251	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市博中泰实业有限公司	CED50N06低压MOS管	VBSEMI/台湾微碧	24+	TO-251	60000	全新原装现货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	CED5175	CET	TO-251	22+	6000	十年配单,只做原装	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	CED5175	CET/華瑞	23+	TO-251	56449	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	CED5175	CET	23+	TO-251	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	CED5175	CET/華瑞	24+	NA/	27334	原装现货,当天可交货,原型号开票	询价
深圳市创新迹电子有限公司	CED5175	CET	22+	TO-251	25000	只做原装进口现货,专注配单	询价
深圳市科芯源微电子有限公司	CED5175	CET	25+	TO-251	53410	原装正品,假一罚十!	询价
深圳诚思涵科技有限公司	CED5175	PHI	24+	SSOP24L	9918	公司现货库存,支持实单	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	CED51A3	SR	23+	TO-251	7000	原装正品,假一罚十	询价

更多CED50N06G供应商更新时间2025-7-26 11:00:00

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