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CEB6106	文件：496.11 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■57V,56A,RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEB6106	文件：291.74 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 57V,56A,RDS(ON)=19mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEB6106	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET;	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP6106	文件：496.11 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■57V,56A,RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP6106	文件：291.74 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 57V,56A,RDS(ON)=19mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
HM6106	文件：759.5 Kbytes Page：9 Pages	Multifunctionalhigh-brightnesslight-emittingdiode(LED)driverintegratedcircuit	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM6106A	文件：610.95 Kbytes Page：9 Pages	Multifunctionalhighbrightnesslightemittingdiode(LED)driverintegratedcircuit	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM6106F	文件：635.96 Kbytes Page：10 Pages	HighCurrentIO/-1.2/1.5A3-PHASEBRIDGEDRIVER	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
KFF6106A	文件：127.33 Kbytes Page：2 Pages	ExcellentReturnLoss	CTSCTS Electronic Components 西迪斯西迪斯公司	CTS
LS6106	文件：108.16 Kbytes Page：8 Pages	Game(slotmachine)	BOWIN BOWIN ELECTRONIC CO.	BOWIN

技术参数

BVDSS(V)：
57
Rds(on)mΩ@10V：
19
ID(A)：
56
Qg(nC)@10V(typ)：
37
RθJC(℃/W)：
1.14
Pd(W)：
131
Configuration：
Single
Polarity：
N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	CEB6106	CET	24+		5000		询价
深圳市南科功率半导体有限公司	CEB6106	NK/南科功率	2025+	TO-263	986966	国产	询价
深圳市盈慧通电子有限公司	CEB6106	CET/華瑞	2511	TO-263	360000	电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	CEB6186	SR	23+	T0-263	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市鹏和科技有限公司	CEB6186	VBsemi	24+	T0-263	5000	只做原装公司现货	询价
深圳市华来深电子有限公司	CEB6186	VBsemi	23+	T0-263	8560	受权代理!全新原装现货特价热卖!	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	CEB6186	CET	23+	TO263	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市威雅利发展有限公司	CEB6186	CET	21+	TO263	10026	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市振宏微科技有限公司	CEB6186	VBsemi/台湾微碧	23+	T0-263	28000	原装正品	询价
深圳市能元时代电子有限公司	CEB6186	VBsemi/台湾微碧	23+	T0-263	12800	公司只有原装欢迎来电咨询。	询价

更多CEB6106供应商更新时间2025-7-29 16:30:00

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