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CEB6030L	文件：516.77 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ● 30V, 52A, RDS(ON)=13.5mΩ @VGS=10V. RDS(ON)=20mΩ @VGS=4.5V. ● Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ● High power and current handling capability. ● TO-220 & TO-263 package 文件：516.77 Kbytes 页数：5 Pages	CET 华瑞	CET
CEB6030LS2	文件：530.47 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ● 30V, 52A, RDS(ON)=13.5mΩ @VGS=10V. RDS(ON)=20mΩ @VGS=4.5V. ● Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ● High power and current handling capability. ● TO-220 & TO-263 package 文件：530.47 Kbytes 页数：5 Pages	CET 华瑞	CET
CEB6030L	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor	CET 华瑞	CET
CEB6030LS2	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor	CET 华瑞	CET

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