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CEB63A3	文件：303.7 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：303.7 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEB63A3	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor	CET 华瑞	CET
CED63A3	文件：397.8 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 30V, 55A, RDS(ON) = 11mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 14mΩ @VGS = 4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-251 & TO-252 package. 文件：397.8 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEP63A3	文件：303.7 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：303.7 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEU63A3	文件：397.8 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 30V, 55A, RDS(ON) = 11mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 14mΩ @VGS = 4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ TO-251 & TO-252 package. 文件：397.8 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET

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