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CEB75N10	文件：403.44 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■100V,72A,RDS(ON)=13mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
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HY75N10T	文件：244.29 Kbytes Page：4 Pages	100V/75AN-ChannelEnhancementModeMOSFET	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
IXFH75N10	文件：371.93 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=20mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFH75N10	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH75N10	文件：94.17 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH75N10Q	文件：154.74 Kbytes Page：2 Pages	HIPERFETPOWERMOSFETSQCLASS	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFH75N10Q	文件：371.77 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=20mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFM75N10	文件：275.5 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=20mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFM75N10	文件：94.17 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS

详细参数

型号：
CEB75N10
制造商：
CET
制造商全称：
Chino-Excel Technology
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	CEB75N10	C	22+	T0-263	6000	十年配单,只做原装	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	CEB75N10	C	23+	T0-263	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市创新迹电子有限公司	CEB75N10	C	22+	T0-263	25000	只做原装进口现货,专注配单	询价
深圳市科芯源微电子有限公司	CEB75N10	VB	25+	T0-263	1015	原装正品,假一罚十!	询价
深圳诚思涵科技有限公司	CEB75N10	Central	24+	SOP-4	6000	公司现货库存,支持实单	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	CEB75N10低压MOS管	VBSEMI/台湾微碧	23+	T0-263	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	CEB75N10L	CET	25+	TO-263	12300	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳市博中泰实业有限公司	CEB75N10低压MOS管	VBSEMI/台湾微碧	24+	T0-263	60000		询价
深圳市中联芯电子有限公司	CEB75N10-VB	VBSEMI/微碧半导体	24+	TO263	7800	全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈	询价
深圳市一线半导体有限公司	CEB76139	CET	24+		5000		询价

更多CEB75N10供应商更新时间2025-5-29 10:04:00

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